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STMicroelectronics STP110N8F6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP110N8F6 |
| EBEE-Teilenummer | E881146 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 110A 6.5mΩ@10V,55A 200W 4.5V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.9108 | $ 9.1080 |
| 50+ | $0.7405 | $ 37.0250 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | STMicroelectronics STP110N8F6 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 6.5mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 225pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 320pF | |
| Gate Charge(Qg) | 150nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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