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STMicroelectronics STL18N65M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STL18N65M2 |
| EBEE-Teilenummer | E82970653 |
| Gehäuse | VDFN-8-Power |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 8A 57W 0.365Ω@10V,4A 4V@250uA 1 N-Channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $1.0891 | $ 10.8910 |
| 30+ | $1.0297 | $ 30.8910 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | STMicroelectronics STL18N65M2 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 365mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 57W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 764pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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