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SINO-IC SE4607
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SE4607 |
| EBEE-Teilenummer | E8238650 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 1.2W 1 N-Channel + 1 P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0508 | $ 0.5080 |
| 100+ | $0.0448 | $ 4.4800 |
| 300+ | $0.0418 | $ 12.5400 |
| 1000+ | $0.0395 | $ 39.5000 |
| 4000+ | $0.0364 | $ 145.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | SINO-IC SE4607 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| RDS(on) | 45mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 52pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 450pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 138pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 100+ | $0.0448 | $ 4.4800 |
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