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SINO-IC SE30P50B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SE30P50B |
| EBEE-Teilenummer | E8238706 |
| Gehäuse | TO-252-2(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 50A 90W 7mΩ@10V,20A 2.2V@250uA 1 N-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | SINO-IC SE30P50B | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 5.8mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 743pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.032nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 898pF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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