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SINO-IC SE2301
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SE2301 |
| EBEE-Teilenummer | E8238681 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 2.8A 100mΩ@4.5V,2.8A 900mW 450mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0355 | $ 0.7100 |
| 200+ | $0.0283 | $ 5.6600 |
| 600+ | $0.0243 | $ 14.5800 |
| 3000+ | $0.0190 | $ 57.0000 |
| 9000+ | $0.0169 | $ 152.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | SINO-IC SE2301 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 150mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 52pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 570mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 373pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 138pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 200+ | $0.0283 | $ 5.6600 |
| 600+ | $0.0243 | $ 14.5800 |
| 3000+ | $0.0190 | $ 57.0000 |
| 9000+ | $0.0169 | $ 152.1000 |
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