| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | RU40191S-R |
| EBEE-Teilenummer | E82803363 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 40V 190A 1.8mΩ@10V,75A 150W 2V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0602 | $ 1.0602 |
| 10+ | $0.8796 | $ 8.7960 |
| 30+ | $0.7892 | $ 23.6760 |
| 100+ | $0.7008 | $ 70.0800 |
| 500+ | $0.6087 | $ 304.3500 |
| 800+ | $0.5816 | $ 465.2800 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Shenzhen ruichips Semicon RU40191S-R | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 40V | |
| Dauerdr. | 190A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 1.8mΩ@10V,75A | |
| Stromableitung (Pd) | 150W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 480pF@20V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 4.8nF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 120nC@10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0602 | $ 1.0602 |
| 10+ | $0.8796 | $ 8.7960 |
| 30+ | $0.7892 | $ 23.6760 |
| 100+ | $0.7008 | $ 70.0800 |
| 500+ | $0.6087 | $ 304.3500 |
| 800+ | $0.5816 | $ 465.2800 |
