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Shenzhen JingYang SI2301
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2301 |
| EBEE-Teilenummer | E82689812 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 20+ | $0.0340 | $ 0.6800 |
| 200+ | $0.0274 | $ 5.4800 |
| 600+ | $0.0238 | $ 14.2800 |
| 3000+ | $0.0172 | $ 51.6000 |
| 9000+ | $0.0153 | $ 137.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Shenzhen JingYang SI2301 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 170mΩ@1.8V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 37.6pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.38W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 660.8pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.396nC@5V |
Einkaufsleitfaden
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