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Shenzhen Fuman Elec 30H10K
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 30H10K |
| EBEE-Teilenummer | E82932013 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 100A 88W 7mΩ@5V,15A 1.5V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.0953 | $ 4.7650 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Shenzhen Fuman Elec 30H10K | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 7mΩ@5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 300pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 88W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.6nF | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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