| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2301P |
| EBEE-Teilenummer | E82834502 |
| Gehäuse | SOT-23-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 2.8A 190mΩ@2.5V,0.5A 840mW 400mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0087 | $ 0.4350 |
| 500+ | $0.0067 | $ 3.3500 |
| 3000+ | $0.0056 | $ 16.8000 |
| 6000+ | $0.0050 | $ 30.0000 |
| 24000+ | $0.0044 | $ 105.6000 |
| 51000+ | $0.0041 | $ 209.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Shenzhen Fuman Elec 2301P | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 190mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 42pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 840mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 332pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.5nC |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0087 | $ 0.4350 |
| 500+ | $0.0067 | $ 3.3500 |
| 3000+ | $0.0056 | $ 16.8000 |
| 6000+ | $0.0050 | $ 30.0000 |
| 24000+ | $0.0044 | $ 105.6000 |
| 51000+ | $0.0041 | $ 209.1000 |
