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Shenzhen Fuman Elec 055N85
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 055N85 |
| EBEE-Teilenummer | E82932024 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 85V 110A 202W 6.8mΩ@10V,40A 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.3468 | $ 3.4680 |
| 30+ | $0.3263 | $ 9.7890 |
| 100+ | $0.2995 | $ 29.9500 |
| 500+ | $0.2743 | $ 137.1500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Shenzhen Fuman Elec 055N85 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 6.8mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 256pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 202W | |
| Drain to Source Voltage | 85V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.56nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 482pF | |
| Gate Charge(Qg) | 152nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $0.3468 | $ 3.4680 |
| 30+ | $0.3263 | $ 9.7890 |
| 100+ | $0.2995 | $ 29.9500 |
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