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Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PNMT8N1 |
| EBEE-Teilenummer | E8110718 |
| Gehäuse | DFN-10-EP(2x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 300mA 150mW 500mΩ@4V,300mA 1.1V@1mA 1 N-channel DFN-10-EP(2x3) MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1 | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 300mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 500mΩ@4V,300mA | |
| Stromableitung (Pd) | 150mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.1V@1mA |
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