| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PNMT6N1B |
| EBEE-Teilenummer | E8110717 |
| Gehäuse | DFN-6L(2.1x2.1) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 40V 3A 4Ω@4.5V,200mA 1.2W 1.5V@250uA 1 N-channel DFN-6L(2.1x2.1) MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0992 | $ 0.4960 |
| 50+ | $0.0810 | $ 4.0500 |
| 150+ | $0.0719 | $ 10.7850 |
| 500+ | $0.0650 | $ 32.5000 |
| 3000+ | $0.0595 | $ 178.5000 |
| 6000+ | $0.0568 | $ 340.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Shanghai Prisemi Elec PNMT6N1B | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 40V | |
| Dauerdr. | 3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 4Ω@4.5V,200mA | |
| Stromableitung (Pd) | 1.2W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.5V@250uA |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0992 | $ 0.4960 |
| 50+ | $0.0810 | $ 4.0500 |
| 150+ | $0.0719 | $ 10.7850 |
| 500+ | $0.0650 | $ 32.5000 |
| 3000+ | $0.0595 | $ 178.5000 |
| 6000+ | $0.0568 | $ 340.8000 |
