| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PDNM6ET20V05 |
| EBEE-Teilenummer | E8918811 |
| Gehäuse | SOT-563 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 500mA 650mV@250uA 2 N-Channel SOT-563 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1217 | $ 0.6085 |
| 50+ | $0.0994 | $ 4.9700 |
| 150+ | $0.0881 | $ 13.2150 |
| 500+ | $0.0797 | $ 39.8500 |
| 3000+ | $0.0730 | $ 219.0000 |
| 6000+ | $0.0697 | $ 418.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Shanghai Prisemi Elec PDNM6ET20V05 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 500mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | - | |
| Stromableitung (Pd) | - | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 650mV@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | - | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | - |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1217 | $ 0.6085 |
| 50+ | $0.0994 | $ 4.9700 |
| 150+ | $0.0881 | $ 13.2150 |
| 500+ | $0.0797 | $ 39.8500 |
| 3000+ | $0.0730 | $ 219.0000 |
| 6000+ | $0.0697 | $ 418.2000 |
