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Shandong Jingdao Microelectronics D4N70
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | D4N70 |
| EBEE-Teilenummer | E85157063 |
| Gehäuse | TO-252W |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 700V 4A 2.8Ω@10V,2A 54W 4V@250uA TO-252W MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1780 | $ 0.8900 |
| 50+ | $0.1412 | $ 7.0600 |
| 150+ | $0.1254 | $ 18.8100 |
| 500+ | $0.1058 | $ 52.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Shandong Jingdao Microelectronics D4N70 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.8Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 54W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 560pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.1412 | $ 7.0600 |
| 150+ | $0.1254 | $ 18.8100 |
| 500+ | $0.1058 | $ 52.9000 |
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