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Shandong Jingdao Microelectronics D3R6N30
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | D3R6N30 |
| EBEE-Teilenummer | E85156807 |
| Gehäuse | TO-252W |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 30V 80A 82W 3.6mΩ@10V,20A 2.5V@250uA TO-252W MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.1017 | $ 5.0850 |
| 150+ | $0.0886 | $ 13.2900 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Shandong Jingdao Microelectronics D3R6N30 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3.6mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 206pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 82W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.414nF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC |
Einkaufsleitfaden
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