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Shandong Jingdao Microelectronics D2N65
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | D2N65 |
| EBEE-Teilenummer | E82875694 |
| Gehäuse | TO-252-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 2A 4.3Ω@10V,2A 32W 4V@250uA TO-252-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1140 | $ 0.5700 |
| 50+ | $0.0914 | $ 4.5700 |
| 150+ | $0.0801 | $ 12.0150 |
| 500+ | $0.0716 | $ 35.8000 |
| 2500+ | $0.0599 | $ 149.7500 |
| 5000+ | $0.0565 | $ 282.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Shandong Jingdao Microelectronics D2N65 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 4.3Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 32W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 260pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.97nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.0914 | $ 4.5700 |
| 150+ | $0.0801 | $ 12.0150 |
| 500+ | $0.0716 | $ 35.8000 |
| 2500+ | $0.0599 | $ 149.7500 |
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