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SemiQ GP2T040A120H
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GP2T040A120H |
| EBEE-Teilenummer | E85646619 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.2kV 63A 52mΩ@20V,40A 322W 1.8V@10mA 1 N-channel TO-247-4 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $43.0143 | $ 43.0143 |
| 210+ | $17.1628 | $ 3604.1880 |
| 510+ | $16.5896 | $ 8460.6960 |
| 990+ | $16.3072 | $ 16144.1280 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | SemiQ GP2T040A120H | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1.2kV | |
| Dauerdr. | 63A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 52mΩ@20V,40A | |
| Stromableitung (Pd) | 322W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.8V@10mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7pF@1000V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3.192nF@1000V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 118nC@20V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $43.0143 | $ 43.0143 |
| 210+ | $17.1628 | $ 3604.1880 |
| 510+ | $16.5896 | $ 8460.6960 |
| 990+ | $16.3072 | $ 16144.1280 |
