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SemiQ GCMX080B120S1-E1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GCMX080B120S1-E1 |
| EBEE-Teilenummer | E87281235 |
| Gehäuse | SOT-227 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.2kV 30A 142W 100mΩ@20V,20A 2.8V@10mA 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $44.8592 | $ 44.8592 |
| 200+ | $17.8994 | $ 3579.8800 |
| 500+ | $17.3018 | $ 8650.9000 |
| 1000+ | $17.0072 | $ 17007.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | SemiQ GCMX080B120S1-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1.2kV | |
| Dauerdr. | 30A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 100mΩ@20V,20A | |
| Stromableitung (Pd) | 142W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.8V@10mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 8pF@1000V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.336nF@1000V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 58nC@20V |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
| 1+ | $44.8592 | $ 44.8592 |
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| 500+ | $17.3018 | $ 8650.9000 |
| 1000+ | $17.0072 | $ 17007.2000 |
