| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | RUC002N05HZGT116 |
| EBEE-Teilenummer | E8510013 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 50V 200mA 2.2Ω@1.8V,100mA 350mW 0.3V@1mA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0496 | $ 0.4960 |
| 100+ | $0.0397 | $ 3.9700 |
| 300+ | $0.0346 | $ 10.3800 |
| 3000+ | $0.0309 | $ 92.7000 |
| 6000+ | $0.0279 | $ 167.4000 |
| 9000+ | $0.0265 | $ 238.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | ROHM Semicon RUC002N05HZGT116 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 50V | |
| Dauerdr. | 200mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.2Ω@1.8V,100mA | |
| Stromableitung (Pd) | 350mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 0.3V@1mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 25pF@0V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0496 | $ 0.4960 |
| 100+ | $0.0397 | $ 3.9700 |
| 300+ | $0.0346 | $ 10.3800 |
| 3000+ | $0.0309 | $ 92.7000 |
| 6000+ | $0.0279 | $ 167.4000 |
| 9000+ | $0.0265 | $ 238.5000 |
