| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | RU1L002SNMGTL |
| EBEE-Teilenummer | E82981762 |
| Gehäuse | SOT-323-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 250mA 200mW 2.4Ω@10V,250mA 1V@1mA 1 N-Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0431 | $ 0.4310 |
| 100+ | $0.0352 | $ 3.5200 |
| 300+ | $0.0312 | $ 9.3600 |
| 3000+ | $0.0251 | $ 75.3000 |
| 6000+ | $0.0227 | $ 136.2000 |
| 9000+ | $0.0215 | $ 193.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | ROHM Semicon RU1L002SNMGTL | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 250mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,250mA | |
| Stromableitung (Pd) | 200mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@1mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 15pF@0V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0431 | $ 0.4310 |
| 100+ | $0.0352 | $ 3.5200 |
| 300+ | $0.0312 | $ 9.3600 |
| 3000+ | $0.0251 | $ 75.3000 |
| 6000+ | $0.0227 | $ 136.2000 |
| 9000+ | $0.0215 | $ 193.5000 |
