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ROHM Semicon RQ3E130MNTB1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | RQ3E130MNTB1 |
| EBEE-Teilenummer | E8308745 |
| Gehäuse | HSMT-8(3x3.2) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 13A 2W 8.1mΩ@10V,13A 2.5V@1mA 1 N-Channel HSMT-8(3x3.2) MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | ROHM Semicon RQ3E130MNTB1 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 13A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 8.1mΩ@10V,13A | |
| Stromableitung (Pd) | 2W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@1mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 90pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 840pF@0V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 6.6nC@10V |
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