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RENESAS NP32N055SDE-E1-AZ
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NP32N055SDE-E1-AZ |
| EBEE-Teilenummer | E87321217 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 55V 32A 24mΩ@10V,16A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2571 | $ 3.2571 |
| 200+ | $1.3001 | $ 260.0200 |
| 500+ | $1.2566 | $ 628.3000 |
| 1000+ | $1.2357 | $ 1235.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | RENESAS NP32N055SDE-E1-AZ | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 55V | |
| Dauerdr. | 32A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 24mΩ@10V,16A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.2W;66W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 41nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.2566 | $ 628.3000 |
| 1000+ | $1.2357 | $ 1235.7000 |
