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RENESAS NP28N10SDE-E1-AY
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NP28N10SDE-E1-AY |
| EBEE-Teilenummer | E87321212 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 28A 52mΩ@10V,14A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2421 | $ 4.2421 |
| 200+ | $1.6940 | $ 338.8000 |
| 500+ | $1.6374 | $ 818.7000 |
| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | RENESAS NP28N10SDE-E1-AY | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 28A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 52mΩ@10V,14A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.2W;100W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3.3nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 75nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
