Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
RENESAS NP100P04PDG-E1-AY
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NP100P04PDG-E1-AY |
| EBEE-Teilenummer | E83281533 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 100A 3.5mΩ@10V,50A 200W 1V@1mA 1 Piece P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>16 Auf Lager für schnelle Lieferung
16 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6752 | $ 3.6752 |
| 10+ | $3.5832 | $ 35.8320 |
| 30+ | $3.5228 | $ 105.6840 |
| 100+ | $3.4610 | $ 346.1000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | RENESAS NP100P04PDG-E1-AY | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 5.1mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.13nF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 15.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 320nC@32V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
16 Stock for Shipping Fast
16 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6752 | $ 3.6752 |
| 10+ | $3.5832 | $ 35.8320 |
| 30+ | $3.5228 | $ 105.6840 |
| 100+ | $3.4610 | $ 346.1000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
