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PN Junction Semiconductor P3M12040G7
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | P3M12040G7 |
| EBEE-Teilenummer | E87023109 |
| Gehäuse | D2PAK-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 1.2kV 63A 53mΩ@15V,40A 349W 1.6V@10mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $60.6656 | $ 60.6656 |
| 200+ | $24.2064 | $ 4841.2800 |
| 500+ | $23.3977 | $ 11698.8500 |
| 1000+ | $22.9986 | $ 22998.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PN Junction Semiconductor P3M12040G7 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1.2kV | |
| Dauerdr. | 63A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 53mΩ@15V,40A | |
| Stromableitung (Pd) | 349W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.6V@10mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.4pF@800V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3505pF@800V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 98nC@15V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $23.3977 | $ 11698.8500 |
| 1000+ | $22.9986 | $ 22998.6000 |
