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PN Junction Semiconductor P3M06120T3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | P3M06120T3 |
| EBEE-Teilenummer | E87323805 |
| Gehäuse | TO-220-2L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 650V 29A 158mΩ@15V,10A 153W 1.8V@5mA 1 N-channel TO-220-2L MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $26.1686 | $ 26.1686 |
| 200+ | $10.4423 | $ 2088.4600 |
| 500+ | $10.0939 | $ 5046.9500 |
| 1000+ | $9.9213 | $ 9921.3000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PN Junction Semiconductor P3M06120T3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 29A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 158mΩ@15V,10A | |
| Stromableitung (Pd) | 153W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.8V@5mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 8.6pF@400V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 31.6nC@15V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $10.0939 | $ 5046.9500 |
| 1000+ | $9.9213 | $ 9921.3000 |
