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PN Junction Semiconductor P3M06060G7
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | P3M06060G7 |
| EBEE-Teilenummer | E86625354 |
| Gehäuse | D2PAK-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 44A 159W 79mΩ@15V,20A 1.8V@20mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $30.0168 | $ 30.0168 |
| 200+ | $11.9785 | $ 2395.7000 |
| 500+ | $11.5777 | $ 5788.8500 |
| 1000+ | $11.3790 | $ 11379.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PN Junction Semiconductor P3M06060G7 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 44A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 79mΩ@15V,20A | |
| Stromableitung (Pd) | 159W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.8V@20mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15.3pF@400V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1911pF@400V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $11.5777 | $ 5788.8500 |
| 1000+ | $11.3790 | $ 11379.0000 |
