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PJSEMI PJM84PSA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PJM84PSA |
| EBEE-Teilenummer | E8411722 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 50V 130mA 225mW 8Ω@10V,100mA 2V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0273 | $ 0.5460 |
| 200+ | $0.0218 | $ 4.3600 |
| 600+ | $0.0187 | $ 11.2200 |
| 3000+ | $0.0146 | $ 43.8000 |
| 9000+ | $0.0130 | $ 117.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PJSEMI PJM84PSA | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 10Ω@5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.8pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Drain to Source Voltage | 50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 130mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 43pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.77nC |
Einkaufsleitfaden
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| 3000+ | $0.0146 | $ 43.8000 |
| 9000+ | $0.0130 | $ 117.0000 |
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