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PJSEMI PJM3400NSA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PJM3400NSA |
| EBEE-Teilenummer | E8411712 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 5.8A 41mΩ@10V,5.8A 1.4W 1.4V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.0471 | $ 0.4710 |
| 100+ | $0.0380 | $ 3.8000 |
| 300+ | $0.0334 | $ 10.0200 |
| 3000+ | $0.0269 | $ 80.7000 |
| 6000+ | $0.0242 | $ 145.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PJSEMI PJM3400NSA | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 59mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 77pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 820pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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