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PJSEMI PJM2301PSA-S
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PJM2301PSA-S |
| EBEE-Teilenummer | E8411716 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 2A 120mΩ@4.5V,2A 700mW 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0272 | $ 0.5440 |
| 200+ | $0.0216 | $ 4.3200 |
| 600+ | $0.0185 | $ 11.1000 |
| 3000+ | $0.0147 | $ 44.1000 |
| 9000+ | $0.0131 | $ 117.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PJSEMI PJM2301PSA-S | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 180mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 55pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 700mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 405pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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