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PJSEMI PJM2300NSA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PJM2300NSA |
| EBEE-Teilenummer | E8411711 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 4.5A 32mΩ@4.5V,3A 350mW 1V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0207 | $ 0.4140 |
| 200+ | $0.0180 | $ 3.6000 |
| 600+ | $0.0164 | $ 9.8400 |
| 3000+ | $0.0155 | $ 46.5000 |
| 9000+ | $0.0148 | $ 133.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PJSEMI PJM2300NSA | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 70mΩ@1.8V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 75pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 523pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 200+ | $0.0180 | $ 3.6000 |
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