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PJSEMI PJM10H03NSC
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PJM10H03NSC |
| EBEE-Teilenummer | E82891566 |
| Gehäuse | SOT-23-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 3A 160mΩ@10V,3A 1.5W 2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.0600 | $ 0.6000 |
| 100+ | $0.0463 | $ 4.6300 |
| 300+ | $0.0395 | $ 11.8500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PJSEMI PJM10H03NSC | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 170mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 650pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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