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PJSEMI PJM02N60SA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PJM02N60SA |
| EBEE-Teilenummer | E82856840 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 2A 105mΩ@10V,3A 900mW 2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 100+ | $0.0500 | $ 5.0000 |
| 300+ | $0.0439 | $ 13.1700 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PJSEMI PJM02N60SA | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 125mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 26pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 510pF | |
| Gate Charge(Qg) | 7.5nC@10V |
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