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PJSEMI PJM01N20KDC
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PJM01N20KDC |
| EBEE-Teilenummer | E82981470 |
| Gehäuse | DFN-3L(1x0.6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 20V 800mA 350mW 300mΩ@4.5V,0.6A 1.1V@250uA 1 N-Channel DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
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| 600+ | $0.0174 | $ 10.4400 |
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| 10000+ | $0.0129 | $ 129.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PJSEMI PJM01N20KDC | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 700mΩ@1.8V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 56pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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