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PIP PTW69N30
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PTW69N30 |
| EBEE-Teilenummer | E8575802 |
| Gehäuse | TO-3P-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 300V 69A 35mΩ@10V,35A 520W 2V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6732 | $ 2.6732 |
| 10+ | $2.3394 | $ 23.3940 |
| 30+ | $2.1300 | $ 63.9000 |
| 100+ | $1.9153 | $ 191.5300 |
| 500+ | $1.8194 | $ 909.7000 |
| 1000+ | $1.7769 | $ 1776.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PIP PTW69N30 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 300V | |
| Dauerdr. | 69A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 35mΩ@10V,35A | |
| Stromableitung (Pd) | 520W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 130pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | - | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 150nC@150V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6732 | $ 2.6732 |
| 10+ | $2.3394 | $ 23.3940 |
| 30+ | $2.1300 | $ 63.9000 |
| 100+ | $1.9153 | $ 191.5300 |
| 500+ | $1.8194 | $ 909.7000 |
| 1000+ | $1.7769 | $ 1776.9000 |
