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PIP PTA10N80
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PTA10N80 |
| EBEE-Teilenummer | E8343859 |
| Gehäuse | TO-220F-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 10A 55W 1Ω@10V,4A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | PIP PTA10N80 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 1Ω@10V,4A | |
| Stromableitung (Pd) | 55W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 25pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.9nF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 60nC@10V |
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