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onsemi NTR2101PT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTR2101PT1G |
| EBEE-Teilenummer | E8168745 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 8V 3.7A 960mW 79mΩ@1.8V,2.0A 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 50+ | $0.0874 | $ 4.3700 |
| 150+ | $0.0759 | $ 11.3850 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi NTR2101PT1G | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 120mΩ@1.8V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 218pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 960mW | |
| Drain to Source Voltage | 8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.173nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 289pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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