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onsemi FDV301N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDV301N |
| EBEE-Teilenummer | E815310 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 25V 220mA 4Ω@4.5V,0.4A 350mW 1.06V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0424 | $ 0.4240 |
| 100+ | $0.0338 | $ 3.3800 |
| 300+ | $0.0300 | $ 9.0000 |
| 1500+ | $0.0226 | $ 33.9000 |
| 4500+ | $0.0215 | $ 96.7500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDV301N | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 5Ω@2.7V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 25V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.06V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 220mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.5pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 6pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 1500+ | $0.0226 | $ 33.9000 |
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