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onsemi 2N7002LT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N7002LT1G |
| EBEE-Teilenummer | E816338 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 115mA 7.5Ω@10V,500mA 225mW 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 20+ | $0.0309 | $ 0.6180 |
| 200+ | $0.0239 | $ 4.7800 |
| 600+ | $0.0208 | $ 12.4800 |
| 3000+ | $0.0174 | $ 52.2000 |
| 9000+ | $0.0165 | $ 148.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi 2N7002LT1G | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 7.5Ω@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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