Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
onsemi 2N7002KT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N7002KT1G |
| EBEE-Teilenummer | E8116584 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 380mA 1.6Ω@10V 420mW 2.3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>108800 Auf Lager für schnelle Lieferung
108800 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0347 | $ 0.6940 |
| 200+ | $0.0273 | $ 5.4600 |
| 600+ | $0.0232 | $ 13.9200 |
| 3000+ | $0.0208 | $ 62.4000 |
| 9000+ | $0.0187 | $ 168.3000 |
| 21000+ | $0.0175 | $ 367.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi 2N7002KT1G | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.5Ω@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 420mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 380mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 45pF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
108800 Stock for Shipping Fast
108800 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0347 | $ 0.6940 |
| 200+ | $0.0273 | $ 5.4600 |
| 600+ | $0.0232 | $ 13.9200 |
| 3000+ | $0.0208 | $ 62.4000 |
| 9000+ | $0.0187 | $ 168.3000 |
| 21000+ | $0.0175 | $ 367.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
