| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PE642DT |
| EBEE-Teilenummer | E8532974 |
| Gehäuse | DFN-8-EP(3x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 34A 9mΩ@10V,10A 20W 2.3V@250uA 2 N-Channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2868 | $ 0.2868 |
| 10+ | $0.2302 | $ 2.3020 |
| 30+ | $0.2059 | $ 6.1770 |
| 100+ | $0.1756 | $ 17.5600 |
| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
| 1000+ | $0.1431 | $ 143.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | NIKO Semicon PE642DT | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 34A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 9mΩ@10V,10A | |
| Stromableitung (Pd) | 20W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 139pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 782pF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 9.6nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2868 | $ 0.2868 |
| 10+ | $0.2302 | $ 2.3020 |
| 30+ | $0.2059 | $ 6.1770 |
| 100+ | $0.1756 | $ 17.5600 |
| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
| 1000+ | $0.1431 | $ 143.1000 |
