| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PE507BA |
| EBEE-Teilenummer | E8532971 |
| Gehäuse | DFN-8(3x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 42A 14.5mΩ@4.5V,9A 3.1W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2752 | $ 0.2752 |
| 10+ | $0.2216 | $ 2.2160 |
| 30+ | $0.1986 | $ 5.9580 |
| 100+ | $0.1699 | $ 16.9900 |
| 500+ | $0.1571 | $ 78.5500 |
| 1000+ | $0.1355 | $ 135.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | NIKO Semicon PE507BA | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 42A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 14.5mΩ@4.5V,9A | |
| Stromableitung (Pd) | 3.1W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 327pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.1nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 49.1nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2752 | $ 0.2752 |
| 10+ | $0.2216 | $ 2.2160 |
| 30+ | $0.1986 | $ 5.9580 |
| 100+ | $0.1699 | $ 16.9900 |
| 500+ | $0.1571 | $ 78.5500 |
| 1000+ | $0.1355 | $ 135.5000 |
