| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PA910BD |
| EBEE-Teilenummer | E8532968 |
| Gehäuse | TO-252-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 8.1A 190mΩ@10V,3A 15W 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1760 | $ 0.1760 |
| 10+ | $0.1402 | $ 1.4020 |
| 30+ | $0.1249 | $ 3.7470 |
| 100+ | $0.1057 | $ 10.5700 |
| 500+ | $0.0972 | $ 48.6000 |
| 1000+ | $0.0921 | $ 92.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | NIKO Semicon PA910BD | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 8.1A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 190mΩ@10V,3A | |
| Stromableitung (Pd) | 15W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 21pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 306pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 8.6nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1760 | $ 0.1760 |
| 10+ | $0.1402 | $ 1.4020 |
| 30+ | $0.1249 | $ 3.7470 |
| 100+ | $0.1057 | $ 10.5700 |
| 500+ | $0.0972 | $ 48.6000 |
| 1000+ | $0.0921 | $ 92.1000 |
