| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | P2610BD |
| EBEE-Teilenummer | E8440044 |
| Gehäuse | TO-252-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 36A 78W 26.8mΩ@10V,10A 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4862 | $ 0.4862 |
| 10+ | $0.3908 | $ 3.9080 |
| 30+ | $0.3501 | $ 10.5030 |
| 100+ | $0.2988 | $ 29.8800 |
| 500+ | $0.2563 | $ 128.1500 |
| 1000+ | $0.2422 | $ 242.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | NIKO Semicon P2610BD | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 36A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 26.8mΩ@10V,10A | |
| Stromableitung (Pd) | 78W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 88pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1918pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 41.5nC@10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4862 | $ 0.4862 |
| 10+ | $0.3908 | $ 3.9080 |
| 30+ | $0.3501 | $ 10.5030 |
| 100+ | $0.2988 | $ 29.8800 |
| 500+ | $0.2563 | $ 128.1500 |
| 1000+ | $0.2422 | $ 242.2000 |
