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Nexperia PMV45EN2R
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PMV45EN2R |
| EBEE-Teilenummer | E8426872 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 5.1A 1115mW 42mΩ@10V,4.1A 2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3792 | $ 1.8960 |
| 50+ | $0.3240 | $ 16.2000 |
| 150+ | $0.3003 | $ 45.0450 |
| 500+ | $0.2708 | $ 135.4000 |
| 3000+ | $0.2577 | $ 773.1000 |
| 6000+ | $0.2498 | $ 1498.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Nexperia PMV45EN2R | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 42mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 17pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.115W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 209pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
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| 50+ | $0.3240 | $ 16.2000 |
| 150+ | $0.3003 | $ 45.0450 |
| 500+ | $0.2708 | $ 135.4000 |
| 3000+ | $0.2577 | $ 773.1000 |
| 6000+ | $0.2498 | $ 1498.8000 |
