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NEC NP80N055MDG-S18-AY
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NP80N055MDG-S18-AY |
| EBEE-Teilenummer | E83290240 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 55V 80A 6.9mΩ@10V,40A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0877 | $ 2.0877 |
| 200+ | $0.8078 | $ 161.5600 |
| 500+ | $0.7804 | $ 390.2000 |
| 1000+ | $0.7658 | $ 765.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | NEC NP80N055MDG-S18-AY | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 55V | |
| Dauerdr. | 80A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 6.9mΩ@10V,40A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.8W;115W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 6.9nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 135nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.7804 | $ 390.2000 |
| 1000+ | $0.7658 | $ 765.8000 |
