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NEC NP80N04NDG-S18-AY
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NP80N04NDG-S18-AY |
| EBEE-Teilenummer | E83281513 |
| Gehäuse | TO-262 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 80A 4.8mΩ@10V,40A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-262 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2318 | $ 2.2318 |
| 200+ | $0.8643 | $ 172.8600 |
| 500+ | $0.8333 | $ 416.6500 |
| 1000+ | $0.8187 | $ 818.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | NEC NP80N04NDG-S18-AY | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 40V | |
| Dauerdr. | 80A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V,40A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.8W;115W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 6.9nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 135nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.8187 | $ 818.7000 |
