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MSKSEMI SI2302CDS-T1-GE3-MS
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2302CDS-T1-GE3-MS |
| EBEE-Teilenummer | E85343292 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 3A 40mΩ@4.5V,3A 1.56W 1V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MSKSEMI SI2302CDS-T1-GE3-MS | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 40mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 26pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.56W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 500mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 180pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 32pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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