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MSKSEMI MS50N06
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MS50N06 |
| EBEE-Teilenummer | E82902884 |
| Gehäuse | TO-252-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 50A 11.5mΩ@10V,20A 1.25W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1130 | $ 0.5650 |
| 50+ | $0.0910 | $ 4.5500 |
| 150+ | $0.0800 | $ 12.0000 |
| 500+ | $0.0718 | $ 35.9000 |
| 2500+ | $0.0628 | $ 157.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MSKSEMI MS50N06 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 13mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 85pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 65W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 115pF | |
| Gate Charge(Qg) | 28nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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