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MSKSEMI MS3139KDFN
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MS3139KDFN |
| EBEE-Teilenummer | E822365398 |
| Gehäuse | DFN1006-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | 20V 600mA 500mΩ@4.5V,300mA 1 Piece P-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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| 20+ | $0.0266 | $ 0.5320 |
| 200+ | $0.0207 | $ 4.1400 |
| 600+ | $0.0175 | $ 10.5000 |
| 2000+ | $0.0155 | $ 31.0000 |
| 10000+ | $0.0138 | $ 138.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MSKSEMI MS3139KDFN | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 650mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+125℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 450mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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